收藏本站
型号 IPD042P03L3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IPD042P03L3 G PDF
代理商 IPD042P03L3 G
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 70A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.2 毫欧 @ 70A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 175nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 12400pF @ 15V
功率 - 最大 150W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPD042P03L3 G-ND
SP000473922
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD048N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD04N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD04N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD04N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
IPD04N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
IPD04N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
IPD050N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD050N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD050N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD053N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD053N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD053N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD053N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPD05N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD05N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
IPD060N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD060N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD060N03L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD068N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
IPD068P03L3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3